本報訊（中國青年報·中青在線記者 王燁捷 實習生 孔遒威）北京時間4月10日，復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊以《用于準非易失應用的范德瓦爾斯結構半浮柵存儲》為題在《自然·納米技術》在線發表文章，開創了第三類存儲技術的新時代。

    張衛、周鵬團隊研發的二維半導體準非易失存儲原型器件具有顛覆性意義，開創了第三類存儲技術，它的寫入速度比目前U盤快1萬倍，數據的存儲時間也可以自行決定，到了有效期后即自動消失。這也解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。

    據悉，目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機中的內存，掉電后數據會立即消失；第二類是非易失性存儲，例如人們常用的U盤，在寫入數據后無需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫入數據，第二類電荷存儲技術需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來。

    此次研發的新型電荷存儲技術，既滿足了10納秒寫入數據速度，又實現了按需定制（10秒-10年）的可調控數據準非易失特性。這種全新特性不僅在高速內存中可以極大降低存儲功耗，還可以實現數據有效期截止后自然消失，在特殊應用場景解決了保密性和傳輸的矛盾。

    這是一個面向未來的新技術。當前，全世界各國科學家都在嘗試使用以石墨烯為主的二維材料制作“超級電腦”，以追求“更快計算速度、更大存儲空間”這一目標。復旦團隊此次研發的第三類存儲技術，可以為未來二維材料制作的超級電腦提供最高效、大容量的存儲。

    “比如無人駕駛汽車、智慧交通違章通知系統等，都在追求計算速度快、存儲容量大這種特性，第三類存儲技術未來應用廣泛。”張衛說，計算機的內存速度是影響其計算運行速度的關鍵。

    基于二維半導體的準非易失性存儲器可在大尺度合成技術基礎上實現高密度集成，將在極低功耗高速存儲、數據有效期自由度利用等多領域發揮重要作用。