本報訊（中國青年報·中青在線記者 王燁捷 實習(xí)生 孔遒威）北京時間4月10日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團隊以《用于準(zhǔn)非易失應(yīng)用的范德瓦爾斯結(jié)構(gòu)半浮柵存儲》為題在《自然·納米技術(shù)》在線發(fā)表文章，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)的新時代。

    張衛(wèi)、周鵬團隊研發(fā)的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件具有顛覆性意義，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，它的寫入速度比目前U盤快1萬倍，數(shù)據(jù)的存儲時間也可以自行決定，到了有效期后即自動消失。這也解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。

    據(jù)悉，目前半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會立即消失；第二類是非易失性存儲，例如人們常用的U盤，在寫入數(shù)據(jù)后無需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫入數(shù)據(jù)，第二類電荷存儲技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來。

    此次研發(fā)的新型電荷存儲技術(shù)，既滿足了10納秒寫入數(shù)據(jù)速度，又實現(xiàn)了按需定制（10秒-10年）的可調(diào)控數(shù)據(jù)準(zhǔn)非易失特性。這種全新特性不僅在高速內(nèi)存中可以極大降低存儲功耗，還可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)有效期截止后自然消失，在特殊應(yīng)用場景解決了保密性和傳輸?shù)拿�盾�?/p>

    這是一個面向未來的新技術(shù)。當(dāng)前，全世界各國科學(xué)家都在嘗試使用以石墨烯為主的二維材料制作“超級電腦”，以追求“更快計算速度、更大存儲空間”這一目標(biāo)。復(fù)旦團隊此次研發(fā)的第三類存儲技術(shù)，可以為未來二維材料制作的超級電腦提供最高效、大容量的存儲。

    “比如無人駕駛汽車、智慧交通違章通知系統(tǒng)等，都在追求計算速度快、存儲容量大這種特性，第三類存儲技術(shù)未來應(yīng)用廣泛。”張衛(wèi)說，計算機的內(nèi)存速度是影響其計算運行速度的關(guān)鍵。

    基于二維半導(dǎo)體的準(zhǔn)非易失性存儲器可在大尺度合成技術(shù)基礎(chǔ)上實現(xiàn)高密度集成，將在極低功耗高速存儲、數(shù)據(jù)有效期自由度利用等多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。