中國銀河證券發布研究報告稱，SiC行業近期飛速發展，海外多家廠商具備先發優勢，短期內在產品、產能和良率等方面均領先國內企業，但隨著國內市場對SiC行業重視程度提高，技術不斷進步，未來有望實現對海外廠商的彎道超車。從市場空間上來看，根據Yole數據，預計2027年市場空間將超過60億美元。當前，多因素導致國內SiC市場短期仍表現為供不應求局面，建議關注國內SiC產業鏈處于領先地位的優質廠商。

投資建議：IDM全產業鏈布局：三安光電(600703.SH)，國內優秀襯底廠商：天岳先進(688234.SH);在設計環節具備優秀壁壘的：斯達半導(603290.SH)、時代電氣(688187.SH)、新潔能(605111.SH)、士蘭微(600460.SH)、東微半導(688261.SH)等，以及布局封裝材料廠商：博敏電子(603936.SH)。

中國銀河證券主要觀點如下：

第三代半導體：更先進的材料，更優異的產品特性

第三代半導體材料是指帶隙寬度達到2.0-6.0eV的寬禁帶半導體材料，包括了碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，是制造高壓大功率電力電子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在熱導率、開關頻率、電子遷移率和擊穿場強均具備優勢，因此SiC材料具備更高效率和功率密度。從產業鏈來看，襯底是價值鏈核心，在成本SIC SBD器件中，襯底價值量占比達到47%。該行認為，襯底價格下降是推動碳化硅產業鏈發展的核心環節，襯底行業的發展也是未來SiC產業降本增效和商業化落地的核心驅動因素。

市場空間仍待開發，產業鏈成熟度逐步提升

從市場空間上來看，根據Yole數據，預計2027年市場空間將超過60億美元，僅碳化硅器件中的功率器件的市場規模將從2021年的10.90億美金增長至2027年的62.97億美金，GAGR達到34%，從細分行業需求來看，新能源產業鏈和充電基礎設施將為增長最快領域。從供給端來看，目前整體產業鏈受限于SiC襯底產能、對襯底缺陷缺乏有效控制、向大尺寸襯底轉移等因素，同時在外延膜生產設備基本依靠海外、厚度與摻雜濃度均勻性等因素，外延生產同樣存在壁壘。多因素導致國內SiC市場短期仍表現為供不應求局面。

海外廠商為主導，國內企業正加速追趕

從行業競爭角度來看，美歐日為主導，海外廠商例如Wolfspeed已突破8英寸節點，國內企業還處于4、6英寸襯底導入階段。但是國內企業目前正在加速追趕，在專利和市占率持續提升，國內碳化硅產業化帶有“學研”基因極為突出，包括天岳、天科合達均為始于院校研究所。

滲透率提升市場空間打開，短期分歧不改長期趨勢

市場對SiC產業呈現眾多分歧，包括長期系統成本與單一成本成本分歧、技術進步對產業鏈沖擊以及多制造環節的自主可控等，但該行認為針對新興產業來說，隨著未來長期襯底價格下降，SiC器件接受度和滲透率迎提升，短期分歧不改行業長期成長。

風險提示：地緣政治風險及宏觀經濟發展不及預期，產能擴張周期不及預期，材料端產能及良率提升不及預期，下游行業推廣滲透率不及預期，碳化硅器件成本下降程度不及預期。

標簽： SiC行業飛速發展 國內產業鏈領先地位 第三代半導體 海外廠商